Nexperia Trench 9超级结MOSFET

Nexperia Trench 9超级结MOSFET将低压超级结技术与先进的封装设计相结合，以实现高性能和耐用性。Trench 9 MOSFET系列产品全部符合AEC-Q101标准，且超越了这一国际汽车级标准的要求，在包括温度循环 (TC)、耐高温栅极偏置 (HTGB)、耐高温反向偏置 (HTRB) 和断续工作寿命 (IOL) 等主要的可靠性测试方面达到了两倍的指标值。

这些N通道40V Trench 9 MOSFET具有较高的功率密度和效率，R_DSon范围为1.4mΩ至3.5mΩ，具有出色的单触发或重复性雪崩性能。Nexperia Trench 9 Superjunction MOSFET采用紧凑型30mm² LFPAK56和LFPAK56E封装。这些器件的封装设计和功率密度使其可替代DPAK和D2PAK MOSFET，且占位面积更小。

特性

完全符合汽车级AEC-Q101标准：
- 额定温度为175°C，适合在散热要求高的环境中使用
系列R_DSon范围：1.4mΩ至3.5mΩ
Trench 9 Superjunction技术：
- 减小了单元脚距，可提高功率密度和效率，在相同占位面积中降低RDSon
- 与标准TrenchMOS相比，提高了SOA（安全工作区）和雪崩能力
- 严格的VGS(th) 限制可实现MOSFET的轻松并联
LFPAK鸥翼型引线：
- 与传统QFN封装不同，高板级可靠性在热循环过程中吸收机械应力
- 可视自动光学检验 (AOI) 设计，无需昂贵的X射线设备
- 易于焊料润湿，实现良好机械焊点
LFPAK铜夹技术：
- 提高可靠性，降低了Rth和RDSon
- 提高最大电流能力并改进了电流分布
封装选项
- LFPAK56E
- LFPAK56