Nexperia BSH205G2 20V P 沟道沟槽式 MOSFET

恩智浦 P 沟道沟槽式 MOSFET 是 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装式 (SMD)塑料封装的增强模式场效应晶体管(FET)。它采用沟槽式 MOSFET 技术， 提供低阈值电压并可以快速开关。MOSFET 适合运用于 继电器驱动器、高速线路驱动器及开关电路等应用中。