NXP Low VCEsat (BISS) Transistors

恩智浦低 VCEsat (BISS) 晶体管

恩智浦低 VCEsat (BISS) 晶体管是采用双 RET 和双 BISS 晶体管的双负载开关。恩智浦低 VCEsat (BISS) 晶体管将功耗和发热保持在最低限度，采用创新的网状发射极技术提供超低功耗和高集极电流特性。
特点
  • 节约电路板空间并提供高性能
  • 高 IC 时高集极电流增益 hFE
  • 低集极-射极饱和电压 VCEsat 与相应的电阻 RCEsat (低至 <30mΩ)
  • SOT89、SOT223、TO-126 和 DPAK 等较大功率、中等功率及功率晶体管的高性价比替代选择
  • 高集电极电流能力 IC 和 ICM
应用
  • LAN 和 ADSL 系统电源开关/中功率直流-直流转换
  • 逆变器应用，如 TFT 显示器
  • 中功率外设驱动器，如风扇、电机
  • 电池充电器/负载开关
  • 数码相机和手机的频闪闪光灯
零件编号封装/外壳晶体管极性集电极-发射极电压 VCEO 最大值集电极-发射极饱和电压最大直流集电极电流直流增益 hFE 最大值数据表
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