NXP Semiconductors MHT2012N参考电路
NXP Semiconductors MHT2012N参考电路设计用于对MHT2012N射频LDMOS集成功率放大器进行快速评估和原型设计。MHT2012N功率放大器设计用于2450MHz ISM频段的射频能量应用，最高支持32VDD运行。
特性
- MHT2012N射频LDMOS集成功率放大器
- 与分立式设计相比，高增益简化了布局并减小了PCB占位面积
- 最高支持32VDD运行
- 片上输入和级间匹配（50Ω输入）
- 集成带启用/禁用功能的静态电流温度补偿
- 集成的ESD保护
性能
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简单易用的解决方案，设计用于加速射频应用的原型设计，缩短产品上市时间。
发布日期: 2019-11-18
| 更新日期: 2023-10-19