S12ZVMB MagniV微控制器基于具有增强性能的线性地址空间S12Z内核,将若干关键系统元件集成到一个单独器件,优化了系统架构并大幅节约空间,实现了优化的解决方案。
S12ZVMB MagniV MCU结合了利用可编程触发单元 (PTU) 同步到PWM信号的ADC,并集成了诸多高压模拟模块,包括稳压器 (VREG)、栅极驱动单元 (GDU) 以及本地互联网络 (LIN) 物理层。借助这些特性,可实现完全集成的单芯片解决方案,从而驱动用于电机驱动应用的外部功率MOSFET。
S12ZVMB MagniV系列在RAM、闪存和EEPROM上包含纠错码 (ECC) 用于诊断或数据存储,设有快速模数转换器 (ADC) 和可改进EMC性能的频率调制锁相环 (PLL)。S12ZVMB MCU具有16位MCU的所有优势和效率,同时保留了现有S12系列用户目前享有的低成本、低功耗、EMC以及代码尺寸效率等诸多优势。除了外设模块I/O端口外,还设有具有中断功能的其他I/O端口,可从停止或等待模式唤醒。
特性
- 总线速率达32MHz的S12Z内核
- 高达64KB的闪存
- 512B EEPROM
- RAM高达4KB
- LIN物理层
- H桥MOSFET栅极驱动器(4通道)
- 12V稳压器
- 2个高侧驱动器
- 3路高压输入
- 电流感测用运算放大器
- 包含在NXP长期供货计划中(15年)
- 超高可靠性MCU
应用
- 防夹车窗升降
- 后备箱开启器
- 天窗
- 动力总成执行器
- 自动门
- 座椅调节
- 安全带定位器
开发工具
NXP Semiconductors S12ZVMBEVB评估板是用于S12ZVMB MagniV系列微控制器的开发工具,提供快速和完全集成的单芯片解决方案,可驱动2相直流电机驱动应用的外部功率MOSFET。
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S12ZVMBEVB评估板文档
• S12ZVMBEVB快速入门指南
• S12ZVMBEVB示意图
框图
发布日期: 2017-06-21
| 更新日期: 2022-03-11
