NXP Semiconductors TEA2209T有源桥式整流器控制器

NXP Semiconductors TEA2209T有源桥式整流器控制器设计用于替代传统的二极管桥。将TEA2209T与低欧姆高压外部MOSFET搭配使用，可显著提高电源转换器的效率，因为消除了典型的整流器二极管正向导通损耗。TEA2209T具有X电容器放电功能。为了在待机条件下降低功耗，通过COMP引脚的外部信号可以禁用TEA2209T。该控制器设计用于升压型功率因数控制器作为第一级的电源。第二级可以是谐振控制器、反激式控制器或任何其他控制器拓扑。它可用于任何需要高效率的电源。 NXP Semiconductors TEA2209T有源桥式整流器控制器提供SO16封装，采用绝缘体硅片 (SOI) 工艺制造。

特性

效率特性
- 消除了二极管整流桥的正向导通损耗
- 2mW超低功耗
应用特性
- 集成高压电平转换器
- 直接驱动全部四个整流器MOSFET
- 非常少的外部元件
- 集成2mA X电容放电
- 自供电
- 全波驱动，改善总谐波失真 (THD)

控制特性
- 禁用功能，用于所有外部功率MOSFET
- 欠压闭锁 (UVLO)，用于高侧和低侧驱动器
- 漏极-源极过压保护，用于所有外部功率MOSFET
- 启动时栅极下拉电流，用于所有外部功率MOSFET
物理特性
- 结温范围：-40°C至+125°C
- SO16小外形封装；16引脚；体宽度3.9mm