Omron Electronics G3VM-QR MOSFET继电器

Omron Electronics G3VM-QR MOSFET继电器具有低关断状态电容、低导通电阻,能够在60V电压下支持最大400mA开关电流。G3VM-QR是一款紧凑、轻便的继电器,采用1.3mm x 2mm x 1.45mm S-VSON (L) 封装。其他优势包括快速切换速度、信号传输清晰,以及在-40°C 至+110°C环境温度范围内具有更高的密度灵活性。Omron Electronics G3VM-QR MOSFET继电器适用于半导体测试设备、通信设备、电源和数据记录器。

特性

  • 紧凑轻质设计
  • 出色的输出特性
  • 响应速度快
  • 耐高温能力
  • 干净的信号传输
  • 可实现较高的设计灵活性

应用

  • 电源
  • 半导体测试设备
  • 通信设备
  • 测试与测量设备
  • 数据记录仪

规范

  • 1.3mm x 2mm x 1.45mm S-VSON(L)封装
  • 60V负载电压
  • 连续负载电流:400 mA
  • 最大电阻:1.5Ω,输出导通(RON
  • 12 pF端子间电容
  • 导通时间:0.25ms(最大值)
  • 关断时间:0.2ms(最大值)
  • 表面贴装端子
  • 环境温度范围:-40 °C至+110 °C

外壳和安装垫尺寸

机械图纸 - Omron Electronics G3VM-QR MOSFET继电器

端子布局/内部连接

原理图 - Omron Electronics G3VM-QR MOSFET继电器
发布日期: 2024-09-19 | 更新日期: 2025-04-25