onsemi FFSx0865B-F085 650V碳化硅肖特基二极管
安森美半导体FFSx0865B-F085 650V、8A碳化硅肖特基二极管采用可提供出色开关性能和更高可靠性的技术。FFSx0865B-F085碳化硅二极管无反向恢复电流，并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。其他优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸和更低的成本。FFSx0865B-F085 650V、8A碳化硅肖特基二极管采用D2PAK-3封装。
特性
- 最高结温：+175°C
- 耐受33mJ雪崩
- 高浪涌电流能力
- 正温度系数
- 易于并联
- 无反向恢复/无正向恢复
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅
- 无卤/无BFR
- 符合RoHS指令
应用
- 汽车用HEV-EV车载充电器
- 汽车用HEV-EV直流-直流转换器
电气连接
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与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
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| 物料编号 | 数据表 | 封装 / 箱体 | Ifsm - 正向浪涌电流 | Pd-功率耗散 |
|---|---|---|---|---|
| FFSD0865B-F085 |  |
DPAK-3 (TO-252-3) | 42 A | 91 W |
| FFSB0865B-F085 | |
D2PAK-2 | 56 A | 73 W |
发布日期: 2019-11-07
| 更新日期: 2024-02-05