onsemi NCV8164C超低噪声LDO稳压器

安森美半导体NCV8164C超低噪声LDO稳压器是一款下一代高PSRR和超低噪声LDO,能够提供300mA输出电流。 该LDO稳压器设计用于满足射频和敏感模拟电路的要求,具有出色的负载/线路瞬态。安森美半导体NCV8164C超低噪声稳压器可与1µF输入和1µF输出陶瓷电容器配合使用。该稳压器采用WDFN6 0.65P (2 mm × 2 mm)、DFNW8 0.65P (3 mm × 3 mm) 和TSOP-5封装。典型应用包括图像传感器电源、时钟电源、通信系统、信息娱乐和负载点。 

特性

  • 高PSRR和超低噪声LDO稳压器
  • 封装
    • TSOP-5:3 mm × 1.5 mm × 1 mm CASE 483
    • WDFNW6:2mm × 2mm × 0.75mm CASE 511DW
    • DFNW8:3 mm × 3 mm × 0.9 mm CASE 507AD
  • 满足射频和敏感模拟电路的要求
  • 具有出色的负载/线路瞬态
  • 符合AEC-Q100标准并具有PPAP功能
  • 无铅、无卤/无溴化阻燃剂 (BFR),符合RoHS指令

应用

  • 电源
    • 图像传感器
    • 射频、PLL、VCO和时钟
  • 通信系统和信息娱乐
  • 负载点

规范

  • 1.6 V 到 5 V 的工作输入电压范围
  • 固定电压选项:1.2 V至4.5 V
  • 1.2V可调版本参考电压
  • 在整个负载和温度范围内的精度为±2%
  • 超低静态电流:30A(典型值)
  • 待机电流:0.1A
  • 极低压差:110 mV(300 mA时,3.3 V型号)
  • 超高PSRR:85dB(10mA和1kHz时典型值)
  • 超低噪声:9VRMS(固定版本)
  • 搭配1F小型陶瓷电容器可稳定工作

典型应用电路

应用电路图 - onsemi NCV8164C超低噪声LDO稳压器
发布日期: 2020-05-21 | 更新日期: 2024-06-07