onsemi FDMS4D5N08LC 80V单N通道功率MOSFET
安森美半导体FDMS4D5N08LC 80V单N通道功率MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺（结合屏蔽栅极技术）制造而成。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。
FDMS4D5N08LC MOSFET采用功率四方扁平无引线 (PQFN) 封装，无铅、不含卤素且符合RoHS指令。
特性
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 最大RDS(on) = 4.2mΩ（VGS = 10V，ID = 37A）
- 最大RDS(on) = 6.1mΩ（VGS = 4.5V，ID = 29A）
- 漏源电压 (VDS)：80V（连续TC = 25°C）
- 漏极电流 (ID)：116A
- 低反向恢复电荷 (Qrr)：38nC（典型值）
- 降低开关噪声/EMI
- MSL1稳健封装设计
- 逻辑电平驱动能力
- 100%经UIL测试
- 工作和储存结温范围：-55°C至+150°C
- 封装类型：PQFN-8
- 封装尺寸：5mm x 6mm
- 无铅，无卤，符合RoHS指令
应用
- 一次侧直流-直流MOSFET
- 直流-直流和交流-直流中的同步整流器
- 电机驱动器
- 太阳能
内部原理图
封装外形
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发布日期: 2019-08-15
| 更新日期: 2024-02-21