特性
- 高速:
- fmax = 185MHz(典型值,VCC = 5V时)
- fmax = 140MHz(典型值,VCC = 5V时)
- 低功耗:ICC = 4A(最大值,TA = 25°C时)
- 高抗噪:VNIH = VNIL = 28%
- 提供关机保护功能
- 平衡传播延迟
- 设计目的:
- 2V至5.5V(VHC)
- 4.5 V至5.5 V (甚高频电流)
- -65°C至150°C存储器工作温度范围
- 工作温度范围:-40 °C至85 °C
- 低噪声:
- VOLP = 0.9V(最大值,VHC)
- VOLP = 1.1V(最大值,VHCT)
- 引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容
- 4.5V至5.5V DC电源电压范围
- 锁存性能超过100mA
- 人体模型的ESD性能 > 2000V
- 276个FET或69个等效栅极芯片复杂性
- 无铅、无卤素,符合RoHS标准
发布日期: 2025-05-30
| 更新日期: 2025-06-26

