onsemi NCx57091 IGBT/MOSFET栅极驱动器

安森美半导体NCx57091 IGBT/MOSFET栅极驱动器是大电流单通道驱动器,具有5kVRMS内部电流隔离。这些驱动器接受互补输入,并提供有源米勒钳位、负电源和独立的高/低驱动器输出等选项,以便于系统设计。IGBT/MOSFET栅极驱动器具有3.3V至20V宽输入偏置电压范围和信号电平,采用SOIC-8封装。典型应用包括电机控制、不间断电源 (UPS)、汽车应用、工业电源和太阳能逆变器。

特性

  • 传播延迟时间短,具有精确匹配
  • 短路期间的IGBT/MOSFET栅极钳位
  • IGBT/MOSFET栅极有源下拉
  • UVLO阈值小,实现偏置灵活性
  • 高瞬态抗扰度
  • 高电磁抗扰度
  • 低钳位电压降无需负电源以防止杂散栅极导通(版本A/D/F)
  • 无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令

规范

  • 高峰值输出电流: 6.5A/-6.5A
  • 3.3V、5V和15V逻辑输入
  • 5kVRMS电流隔离
  • 功率耗散:1470mW
  • 结温范围:–40°C至+150°C
  • 存储温度范围:-65°C至+150°C

应用

  • 电机控制
  • 不间断电源 (UPS)
  • 汽车应用
  • 工业电源
  • 太阳能逆变器

框图

发布日期: 2022-02-21 | 更新日期: 2022-03-11