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onsemi NSBAMXW PNP偏置电阻晶体管

安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置电阻晶体管 (BRT) 设计用于替换单个设备和相关外部偏置电阻网络。 这些PNP偏置电阻晶体管集成了单个晶体管和一个单片偏置网络，该网络由一个系列基极电阻和一个基极-发射极电阻组成。BRT通过将所有组件集成到单个设备中，从而消除了单个组件。使用BRT可降低系统成本和电路板空间。安森美 (onsemi) NSBAMXW采用XDFNW3封装，具有卓越的热性能。 这些设备非常适合用于电路板空间和可靠性至关重要的表面贴装应用。

特性

  • 内置偏置电阻器
  • 提供互补的NPN类型 (NSBCMXW)
  • XDFNW3外壳521AC封装，安装高度低至0.44mm（最大值）
  • 可湿性侧翼封装，实现最佳自动光学检测（AOI）
  • 静电放电 (ESD) 等级 (HBM)：级别1B
  • NSV前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准并具备PPAP功能
  • 无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS指令

应用

  • 数字开关
  • 控制IC输入

规范

  • 最大集电极-发射极/-基极电压：-50V
  • 最大集电极电流：100 mA
  • 最大集电极-基极截止电流：-100nA
  • 最大集电极-发射极截止电流：-500nA
  • 最大发射极-基极截止电流范围：-1.5mA至-0.2mA
  • 最大集电极-发射极饱和电压：-0.25V
  • 最大输入电压（关闭）范围：-0.8V至-0.3V
  • 典型输入电压（开启）范围：-2.4V至-1.15V
  • 最大输出电压（开启）：0.2V
  • 最小输出电压（关闭）：4.9V
  • 最大偏置电阻器范围：6.1kΩ至61.1kΩ
  • 热性能
    • 最大总耗散功率：450mW
    • 结温至环境温度热阻：145°C/W
    • 结温范围：-65 °C至+150 °C

Pni连接

机械图纸 - onsemi NSBAMXW PNP偏置电阻晶体管

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设计用于替代单个设备及其相关的外部偏置电阻网络。

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发布日期: 2025-08-29 | 更新日期: 2025-09-09