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onsemi NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL N沟道MOSFET

安森美 (onsemi) NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL N沟道MOSFET是PowerTrench®电源夹对称双通道MOSFET，采用WQFN12封装。这些器件包括两个专用N沟道MOSFET,采用双封装。这些器件的开关节点内部连接，能够轻易进行同步降压转换器的布局和走线。控制MOSFET (Q2) 和同步MOSFET (Q1) 设计用于提供最佳功率效率。安森美 (onsemi) NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL N沟道MOSFET具有低RDS(on) 、低QG 和电容以及低导通/驱动器损耗。典型应用包括直流-直流转换器、通用负载点、单相电机驱动器、计算和通信

特性

  • 3 mm x 3 mm WQFN12封装
  • 配置为半桥，减少封装寄生效应
  • 低RDS(on)
  • 最大限度地降低导通损耗
  • 低Qg和电容
  • 最大限度地降低驱动器损耗

应用

  • 计算
  • 通信
  • 通用负载点
  • 直流-直流转换器
  • 单相电机驱动器
  • 直流-直流模块

规范

  • NTTFD4D0N04HL
    • Q1：N沟道
      • RDS(on) ：4.5mΩ（最大值，10V VGS 、10A ID 时）
      • RDS(on) ：7mΩ（最大值，4.5V VGS 、8A ID 时）
    • Q2：N沟道
      • RDS(on) ：4.5mΩ（最大值，10V VGS 、10A ID 时）
      • RDS(on) ：7mΩ（最大值，4.5V VGS 、8A ID 时）
  • NTTFD9D0N06HL
    • Q1：N沟道
      • RDS(on) ：9mΩ（最大值，10V VGS 、10A ID 时）
      • RDS(on) ：13mΩ（最大值，4.5V VGS 、8A ID 时）
    • Q2：N沟道
      • RDS(on) ：9mΩ（最大值，10V VGS 、10A ID 时）
      • RDS(on) ：13mΩ（最大值，4.5V VGS 、8A ID 时）

电气连接

框图 - onsemi NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL N沟道MOSFET

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物料编号 数据表 描述
NTTFD4D0N04HLTWG NTTFD4D0N04HLTWG 数据表 MOSFET T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
NTTFD9D0N06HLTWG NTTFD9D0N06HLTWG 数据表 MOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
发布日期: 2020-08-02 | 更新日期: 2024-06-12