onsemi NTTFS6H850NL单N通道功率MOSFET
安森美半导体NTTFS6H850NL单N通道功率MOSFET具有低漏极-源极导通电阻和低电容，可最大限度地降低驱动器损耗。NTTFS6H850NL MOSFET具有3.3mm x 3.3mm的小尺寸，可实现紧凑高效的设计，无铅且符合RoHS指令。
特性
- 漏极-源极电压 (VDSS)：80V
- 栅极-源极电压 (VGS)：±20V
- 漏极-源极导通电阻 (RDS(on))
- 8.6mΩ @ 10.0V
- 11.0mΩ @ 4.5V
- 连续漏极电流 (ID)：64A
- 工作结温和储存温度范围（TJ，Tstg）：-55°C至+175°C
- 封装类型：WDFN-8
- 无铅，符合RoHS指令
应用
- 反向电池保护
- 电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、H桥）
- 同步整流
- 电机控制
Related MOSFETs
onsemi Trench8 MOSFET
MOSFET具有低RDS(ON) 、超低Qg 和低Qg x RDS(ON)（这是一个关键品质因数 (FOM)）。
封装外形
发布日期: 2019-09-06
| 更新日期: 2024-02-08