onsemi NVBG025N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 (onsemi) NVBG025N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET 与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。安森美 (onsemi) NVBG025N065SC1具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。系统优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。
特性
- 典型值RDS(on) =19m（VGS =18V时）
- 典型值RDS(on) =25m（VGS =15V时）
- 超低总栅极电荷（QG(tot) =164nC）
- 低输出电容 (Coss = 278pF)
- 100%经雪崩测试
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 符合RoHS指令
应用
- 汽车板载充电器
- 汽车直流/直流转换器（用于EV/HEV）
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具有650V、750V和1200V电压选项。
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发布日期: 2023-01-05
| 更新日期: 2024-06-18