onsemi NVMFS6H8x功率MOSFET
安森美半导体NVMFS6H8x功率MOSFET是80V、单N通道的小型器件，设计紧凑。这些功率MOSFET具有2.1mΩ、2.8mΩ和3.7mΩ电阻。这些器件的特性包括可最大限度降低导通损耗的低RDS(on)、低QG以及低电容。NVMFS6H8x功率MOSFET符合RoHS指令和AEC-Q101标准。这些功率MOSFET在-55°C至175°的温度范围内工作。
特性
- 5mm x 6mm的小尺寸，设计紧凑
- 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
- 低QG和电容，可最大限度地降低驱动器损耗
- 可湿侧面 (WF) 选项，用于增强型光学检测
- 在-55°C至175°的温度范围内工作。
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 这些器件不含铅，符合RoHS指令
应用
- Automotive
- DC-DC converters
- Point-of-Load (POL)
- Servers
Related Products
onsemi Trench8 MOSFET
MOSFET具有低RDS(ON) 、超低Qg 和低Qg x RDS(ON)（这是一个关键品质因数 (FOM)）。
View Results ( 5 ) Page
| 物料编号 | 数据表 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Qg-栅极电荷 | Pd-功率耗散 |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS6H864NLT1G |  |
22 A | 29 mOhms | 9 nC | 33 W |
| NVMFS6H800NT1G | |
203 A | 2.1 mOhms | 85 nC | 200 W |
| NVMFS6H801NT1G | |
157 A | 2.8 mOhms | 64 nC | 166 W |
| NVMFS6H818NLT1G | |
135 A | 3.2 mOhms | 64 nC | 140 W |
| NVMFS6H818NT1G | |
123 A | 3.7 mOhms | 46 nC | 136 W |
发布日期: 2018-06-11
| 更新日期: 2022-10-21