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onsemi NTMFSC PowerTrench® MOSFET

安森美 (onsemi) NTMFSC PowerTrench® MOSFET具有低RDS(on)，同时通过极低的结温到环境热阻 (θJA) 保持了出色的开关性能。这得益于硅和Dual Cool™封装技术的进步。这些安森美 (onsemi) PowerTrench MOSFET采用100%通过UIL测试而且符合RoHS指令的DFN-8封装。典型应用包括同步整流器、AC-DC电源、48V隔离式转换器上的一次侧MOSFET和隔离式DC-DC转换器。

特性

  • Dual Cool™顶部冷却PQFN封装
  • 采用高性能技术，实现极低RDS(on)
    • RDS(on) ：4mΩ（最大值，10V VGS 、44A ID 时）
    • RDS(on) ：8.5mΩ（最大值，6V VGS 、22A ID 时）
  • 改善了散热性
  • 低传导损耗和开关损耗
  • 100%经UIL测试
  • 符合RoHS指令

应用

  • 同步整流器
  • 交流-直流电源
  • 48V隔离式转换器上的一次侧MOSFET
  • 隔离式直流-直流转换器

配置

框图 - onsemi NTMFSC PowerTrench® MOSFET

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物料编号 数据表 描述
NTMFSC004N08MC NTMFSC004N08MC 数据表 MOSFET N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, ___A, 4.0mohm
NTMFSC010N08M7 NTMFSC010N08M7 数据表 MOSFET MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC 数据表 MOSFET N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 100V, ___A, 4.2mohm
发布日期: 2020-07-01 | 更新日期: 2024-11-07