onsemi 屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET
安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道MOSFET，可最大限度地降低导通电阻，并通过同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。与其他MOSFET相比，这些MOSFET的Qrr 更低。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。这些MOSFET具有低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，还具有低QG 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗。屏蔽栅极PowerTrench MOSFET采用小型PQFN8封装，尺寸为5mm x 6mm，设计紧凑。典型应用包括同步整流 (SR)、交流－直流和直流－直流电源、交流－直流适配器（USB供电）同步整流器和负载开关。
特性
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
- 漏极-源极电压 (VDSS)：150V
- 低QG 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗
- 100%经UIL测试
应用
- 同步整流 (SR)
- 交流-直流和直流-直流电源
- 交流-直流适配器 (USB PD) SR
- 负载开关
性能图
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onsemi PowerTrench技术
从T6到T10的转变尤其代表了PowerTrench技术的进步。
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| NTB7D3N15MC |  |
MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A |
| NTMFS7D5N15MC | |
MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 150V, 95.6A, 7.9mohm |
| NTMFS7D8N10GTWG | |
MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 110A, 7.6mohm |
| NTB5D0N15MC | |
MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A |
| NTMFS015N15MC | |
MOSFET Power MOSFET, 150V Single N channel 61A, 14m Ohm in Power56 package |
| NTMFS034N15MC | |
MOSFET Power MOSFET, 150V Single N channel 31A, 31m Ohm in Power56 package |
| NTB011N15MC | |
MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 75.4 A |
| NTMFS4D2N10MDT1G | |
MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 113A, 4.2mohm |
发布日期: 2020-09-16
| 更新日期: 2024-11-07