PowerTrench T10 MOSFET的优势

  • 低RDS(on)
  • 减少振铃、过冲和EMI/噪声
  • 高功率密度
  • 低开关损耗
  • 符合Open Rack V3效率规范
  • 高可靠性和稳健性
低RDS(on),减少振铃、过冲和EMI/噪声,高功率密度,低开关损耗,符合Open Rack V3效率规范,高可靠性和稳健性。

PowerTrench®技术

  • T10S:开关损耗降低50%
  • TS专用于较高开关频率
  • T10M:减少传导损耗
  • TM专用于较低开关频率
  • 导通电阻降低30%至40%
  • Qg、Qsw和Qoss减少2倍
  • 软恢复二极管和较低的Qrr
  • UIS能力提高10%

PowerTrench T10 MOSFET

导通电阻更低

RDS(on)低于1mΩ

封装尺寸更小

功率MOSFET每平方英寸包含数千万个单元

屏蔽栅极设计

屏蔽栅极设计具有超低栅极电荷,可提高用电效率

主要受益领域

AI数据中心

为能源密集型AI工作负载提供出色的效率

汽车

通过AEC认证,符合严格的汽车标准,支持48V系统,发热量极低

太阳能

尽可能减少能量损耗,让高性能逆变器更有效地将太阳能转换为可供日常使用的交流电

电机驱动

通过精确的功率水平实现出色性能,并延长为电机供电的电池续航时间

DC-DC功率转换

可处理对DC-DC功率转换级至关重要的大电流