onsemi Trench6 N沟道MV MOSFET
安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。
安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET采用各种小尺寸封装选项，可提高设计灵活性。
特性
- 符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能
- 小型封装，实现紧凑型设计
- 超低RDS(ON) ，可减少导通损耗
- 经过优化的栅极电荷，降低开关损耗
- 高功率密度
- 出色导热性能
- 效率更高
- 无卤、无铅，符合RoHS指令
应用
- ORing
- 电机驱动器
- 直流-直流转换器
- 电源负载开关
- 电池管理
- 高端计算
视频
系列产品的优势
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onsemi NVMFS5C645N单N沟道功率MOSFET
具有92A漏极连续电流、在10V时4.6 mΩ RDS(ON)RDS以及60V漏源电压。
发布日期: 2021-05-24
| 更新日期: 2025-10-01