Panasonic Industrial Devices AQZ20xG大容量PhotoMOS®继电器
Panasonic AQZ20xG大容量PhotoMOS®继电器采用薄型SIL 4引脚封装 (21.0mm x 3.5mm x 12.5mm),可实现高密度安装。该款紧凑型AQZ20xG继电器采用节省空间的设计,具有低导通电阻(典型值为<0.015Ω)、高灵敏度(典型值为1mA)以及低断态漏电流(最大值为10µA)。该款大容量继电器可以切换各种电流和电压,并控制各种类型的负载(从超小型到最大6A的负载)。用于定序器、电机和灯具的交流/直流电流。该器件无需进行传统SSR所必需的差异化处理,因此可以实现双向控制,具体取决于负载。三端双向可控硅、光电耦合器或SSR不能用于控制小于几百mV的信号。该款Power 1 Form A PhotoMOS继电器具有极低的闭路偏移电压,可控制低电平模拟信号而不失真。特性
- 大容量型功率PhotoMOS继电器
- 低导通电阻和高灵敏度
- 交流/直流两用
- 薄型SIL 4引脚封装
- 低电平断态漏电流(最大10μA)
- 控制低电平模拟开关
应用
- 交通信号灯
- 测量仪器
- 工业机器
- 水银继电器替代品
规范
- 输入
- LED正向电流:50mA
- LED反向电压:5V
- 峰值正向电流:1A
- 功率耗散:75mW
- 输出
- 负载电压:60V、100V、200V和600V
- 连续负载电流:6.0A、4.0A、2.0A和1.0A
- 峰值负载电流:12.0A、8.0A、6.0A和3.0A
- 功率耗散:1.6W
- 总功率耗散:1.6W
- I/O隔离电压:2500Vrms
- 工作温度范围:-40°C至+85°C
- 储存温度范围:-40°C至+100°C
- 工作频率:0.5cps(最大值)
- 初始I/O隔离电阻:1000MΩ
- 断态漏电流:10µA
- 符合RoHS指令
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发布日期: 2018-08-24
| 更新日期: 2024-06-28
