Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管是一款基于碳化硅(SiC)衬底的分立式氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件典型输出功率 (P3dB)为15W，具备50Ω输入阻抗匹配特性，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1.2GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益与功率性能；输出端可在板级进行匹配，从而在频带内任意子频带优化输出功率与效率。Qorvo QPD1014A晶体管采用6mm x 5mm x 0.85mm无引线SMT封装，可为空间受限的手持式无线电设备节省PCB面积。
特性
- 一款P3dB为15W、输入匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT
- 在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1.2GHz
- 集成输入匹配网络
- 低热阻封装
- 连续波和脉冲功能
- 表面贴装，6mm x 5mm x 0.85mm DFN封装
- 不含SVHC和PFOS
- 无铅、无卤素/无锑、符合RoHS标准
应用
- 基站
- 有源天线
- 军用雷达
- 民用雷达
- 陆地移动无线电通信
- 干扰发射机
规范
- 最大击穿电压：+145 V
- 最大漏极电流：1A
- 漏极电压范围：12V至55V
- 典型漏极偏置电流：20mA
- 最大栅极电压范围：-8V至+2V，典型值：-2.8V
- 最大栅极电流范围：3.6mA
- 最大功率耗散：15.8W，最大工作功耗：14.4W
- 最大RF输入功率：31dBm
- 典型频率范围：0.6GHz至1.2GHz
- 线性增益范围
- 功率调谐：20.1dB至21.5dB
- 效率调谐：21.2dB至23.0dB
- 3dB压缩下的输出功率范围
- 功率调谐：41.9dBm至42.7dBm
- 效率调谐：39.0dBm至41.2dBm
- 3dB压缩下的功率附加效率范围
- 功率调谐：60.0%至65.0%
- 效率调谐：70.4%至79.2%
- 3dB压缩下的增益范围
- 功率调谐：17.1dB至18.5dB
- 效率调谐：18.2dB至20.0dB
- 最高安装温度：+320°C，持续30s
- 工作温度范围：-40 °C至+85 °C
- 最高通道温度：+250 °C
- 潮湿敏感度等级 (MSL)：3级
- ESD额定值符合ANSI/ESD/JEDEC JS-001标准
- 250 V人体模型 (HBM)
- 1000V充电设备模型 (CDM)
功能框图
开发工具
Qorvo QPD1014AEVB 评估板
专为加快100MHz至1GHz频带内的设备表征和放大器原型设计而打造。
发布日期: 2026-01-13
| 更新日期: 2026-01-20