HIP4086A具有各种可编程死区时间(0.5µs至4.5µs),因此非常适合通常用于电机驱动器的低频(最高100kHz)用途。为确保高侧驱动器启动电容器在接通之前已充满电,当首次施加VDD时,将激活可编程的自举刷新脉冲。激活后,刷新脉冲会打开所有三个低侧桥式FET,同时推迟对三个高侧桥式FET充电,从而对高侧启动电容器充电。清除刷新脉冲后,开始正常运行。
HIP4086A三相MOSFET驱动器禁用了内置电荷泵,可实现非常安静的EMI性能。HIP4086A的可编程欠压设定值范围为6.6V至8.5V。
特性
- 独立驱动6个N通道MOSFET,采用三相桥式配置
- 自举电源的最大电压为95VDC,偏置电源范围为7V至15V
- 峰值关断电流:1.25A
- 用户可编程死区时间(0.5µs至4.5µs)
- 自举和可选电荷泵可保持高侧驱动器偏置电压
- 可编程自举刷新时间
- 驱动1000pF负载,典型上升和下降时间分别为20ns和10ns
- 可编程欠压设点
应用
- 无刷电机 (BLDC)
- 三相交流电机
- 开关磁阻电机驱动器
- 电池供电车辆
- 电池供电工具
框图
发布日期: 2019-11-21
| 更新日期: 2023-09-26

