借助强大的栅极驱动强度和自适应死区时间 (ADT) 特性,ISL78434能够以高工作频率在半桥拓扑中开关高压、低RDS(ON) 功率FET,同时提供击穿保护并尽量降低死区时间开关损耗。
ISL78434采用14引脚HTSSOP封装,该封装具有符合IPC-2221B规定的100V导体间距。
特性
- 借助获得专利的栅极感应自适应死区时间控制,可提供击穿保护并最大限度缩短死区时间
- 独特的三电平PWM输入,可与Renesas多相控制器集成
- 3A源极和4A漏极输出电流
- 片上3Ω自举FET开关
- 带单电阻的可编程死区时间延迟
- 三电平PWM输入
- 驱动器输出端的独立源极/漏极引脚
- 自举和VDD欠压闭锁 (UVLO)
- 宽电源电压范围:8V至18V
- 自举电源最大电压:100V
- 环境温度范围:-40°C至+140°C
- 最大相位电压:86V
- 最小相位电压:-10V
- 封装:HTSSOP-14
框图
发布日期: 2018-12-14
| 更新日期: 2023-06-20

