ROHM Semiconductor BV1Hx高侧开关

ROHM Semiconductor BV1Hx AEC-Q100 PMIC(电源管理IC)是高侧开关,在单芯片上集成了CMOS控制单元和功率MOSFET。 这些器件具有诊断输出功能,用于异常检测。BV1Hx PMIC具有内置过流限制功能、双热关断 (TSD) 保护功能、开路负载检测功能、低功耗输出关闭功能和VCC短路检测功能。BV1HJ045EFJ-C的过流限制为5.0A至12.0A。BV1HL045EFJ-C和BV1HAL85EFJ的过流限制为2.5A至6.5A。

ROHM Semiconductor BV1Hx高侧负载开关采用HTSOP-J8封装,符合汽车和电源管理应用类AEC-Q100认证。

特性

  • 符合AEC-Q100标准(1级)
  • 单片电源管理IC,在单个芯片上集成有控制模单元 (CMOS) 和功率MOSFET
  • 内置双热关断 (TSD) 电路
    • 结温保护
    • ΔTj保护可检测功率MOS的突然温升
  • 内置过流保护功能 (OCP)
  • 内置热关断保护功能 (TSD)
  • 内置开路负载检测功能
  • 内置VBB短路检测功能
  • 内置低压输出关闭功能 (UVLO)
  • 内置反向电池连接保护
  • 内置诊断输出
  • 过流限制
    • BV1HJ045EFJ-C:5.0A至12.0A
    • BV1HL045EFJ-C:2.5A至5.5A
  • 低导通电阻单N沟道MOSFET开关
  • 工作温度范围:-40°C至+150°C
  • 4.9mm x 6.0mm x 1.0mm HTSOP-J8封装

应用

  • 电阻负载
  • 电感负载
  • 电容负载
  • 电源管理
  • 汽车应用
  • 多功能机器和电视
  • 对各种电源线进行过流监控

框图

ROHM Semiconductor BV1Hx高侧开关

典型应用电路

ROHM Semiconductor BV1Hx高侧开关

包装外形

机械图纸 - ROHM Semiconductor BV1Hx高侧开关
发布日期: 2021-03-16 | 更新日期: 2025-07-25