ROHM Semiconductor QS6Kx Nch+Nch车用MOSFET
ROHM Semiconductor QS6Kx Nch+Nch 车用 MOSFET 是低导通电阻 MOSFET，内置 G-S 保护二极管。这些MOSFET符合AEC-Q101标准，具有±1A连续漏极电流 (ID)。QS6Kx MOSFET采用小型表面贴装封装 (TSMT6)。ROHM Semiconductor QS6Kx MOSFET适合用于电源开关应用。
特性
- 低导通电阻
- 内置G-S二极管
- 符合AEC-Q101标准
- 小型表面贴装封装 (TSMT6)
规范
- QS6K1FRA
- 漏源电压 (VDSS)：30V
- QS6K21FRA
- 漏源电压 (VDSS)：45V
- 一般特性
- 连续漏极电流 (ID)：±1A
- 功率耗散 (PD)：1.25W
- 工作温度范围：-55 °C至+150 °C
QS6K1FRA 等效电路
QS6K21FRA内部电路
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 | Vds-漏源极击穿电压 | Rds On-漏源导通电阻 | Vgs th-栅源极阈值电压 | Qg-栅极电荷 | 上升时间 | 下降时间 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QS6K1FRATR |  |
MOSFET 0.26Rds(on) 1.7Qg | 30 V | 238 mOhms | 1.5 V | 1.7 nC | 7 ns | 6 ns |
| QS6K21FRATR | |
MOSFET 0.415Rds(on) 1.5Qg | 45 V | 420 mOhms | 1.5 V | 1.5 nC | 8 ns | 7 ns |
发布日期: 2020-11-18
| 更新日期: 2024-10-29