ROHM Semiconductor R6004PND3FRA 600V N沟道车用MOSFET

ROHM Semiconductor R6004PND3FRA 600V N沟道车用MOSFET是一款低导通电阻MOSFET,开关速度快。ROHM Semiconductor的这款MOSFET集成了简单的驱动电路,符合AEC-Q101标准。R6004PND3FRA MOSFET具有1.8Ω漏极-源极电阻(RDS (on))、±4A连续漏极电流 (ID)以及65W功耗 (PD)。该MOSFET非常适合用于开关电源。

特性

  • 低导通电阻
  • 开关速度快
  • 简单驱动电路
  • 无铅电镀
  • 符合AEC-Q101标准
  • 符合RoHS指令

规范

  • 漏源电压 (VDSS):600V
  • 最大漏源导通电阻 (RDS (on)):1.8Ω
  • 连续漏极电流 (ID):±4A
  • 功率耗散 (PD):65W
  • 工作温度范围:-55 °C至+150 °C
  • DPAK (TO-252) 封装

性能图

性能图表 - ROHM Semiconductor R6004PND3FRA 600V N沟道车用MOSFET
发布日期: 2020-11-17 | 更新日期: 2024-10-29