ROHM Semiconductor R800xxND3FRA N沟道车用功率MOSFET
ROHM Semiconductor R800xxND3FRA N沟道车用功率MOSFET是低导通电阻MOSFET，设有简单驱动电路。 这些MOSFET具有快速开关速度和无铅电镀，符合AEC-Q101标准。R800xxND3FRA MOSFET采用DPAK (TO-252) 封装。 ROHM Semiconductor R800xxND3FRA MOSFET适合用于开关电源。
特性
- 低导通电阻
- 集成简单驱动电路
- 开关速度快
- 无铅电镀
- 符合AEC-Q101标准
- 符合RoHS指令
规范
- R8001CND3FRA
- 静态漏极－源极导通电阻：8.7Ω
- 连续漏极电流：±1A
- 功率耗散 (PD)：36W
- R8002CND3FRA
- 静态漏极－源极导通电阻： 4.3Ω
- 连续漏极电流：±2A
- 功率耗散 (PD)：69W
- R8007AND3FRA
- 静态漏源导通电阻：1.6Ω
- 连续漏极电流：±7A
- 功率耗散 (PD)：140W
- 一般特性
- 漏极-源极电压 (VDSS)：800 V
- 采用DPAK (TO-252) 封装
- 工作温度范围：-55 °C至+150 °C
内部电路图
性能图
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Qg-栅极电荷 | Pd-功率耗散 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| R8007AND3FRATL |  |
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 7A 1st Gen, for Auto | 7 A | 1.6 Ohms | 28 nC | 140 W |
| R8001CND3FRATL | |
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect | 1 A | 8.7 Ohms | 7.2 nC | 36 W |
| R8002CND3FRATL | |
MOSFET TO252 800V 2A N-CH | 2 A | 4.3 Ohms | 12.1 nC | 69 W |
发布日期: 2020-11-18
| 更新日期: 2024-10-29