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ROHM Semiconductor RF4G100BG N沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RF4G100BG N沟道功率MOSFET是一款40V、10A MOSFET，具有14.2mΩ低导通电阻，因此非常适合用于开关应用。RF4G100BG具有27ns（典型值）反向恢复时间和18nC（典型值）反向恢复电荷。该器件的功耗为2.0W，具有-55℃至+150℃宽工作结温和储存温度范围。

ROHM Semiconductor RF4G100BG N沟道功率MOSFET采用大功率、小型模具2.0mm x 2.0mm DFN2020-8S (HUML2020L8) 封装，非常适合用于空间受限的应用。

特性

  • 低导通电阻 (RDS(on))：14.2mΩ
  • 漏极-源极电压 (VDSS)：40V
  • 连续漏极电流 (ID)：±10A
  • 脉冲漏极电流 (IDP)：+40A
  • 栅极-源极电压 (VGSS)：+20V
  • 雪崩电流，单脉冲 (IAS)：10A
  • 雪崩能量，单脉冲 (EAS)：8.4mJ
  • 功耗 (PD)：2.0W
  • 反向恢复时间 (trr)：27ns
  • 反向恢复电荷 (Qrr)：18nC
  • 工作结温和储存温度范围：-55℃至+150℃
  • 2.0mm x 2.0mm DFN2020-8S (HUML2020L8) 封装
  • 无铅镀层
  • 无卤，符合RoHS指令

应用

  • 开关

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引脚代号和内部电路

原理图 - ROHM Semiconductor RF4G100BG N沟道功率MOSFET

封装外形

机械图纸 - ROHM Semiconductor RF4G100BG N沟道功率MOSFET
发布日期: 2021-11-29 | 更新日期: 2022-03-11