ROHM Semiconductor RGTV 650V场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGTV 650V场终止型沟槽IGBT采用小型封装，具有低集电极－发射极饱和电压。RGTV IGBT具有高速开关、低开关损耗和2μs短路耐受时间。ROHM RGTV 650 V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。