ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG p沟道汽车用MOSFET
ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG P沟道小信号MOSFET具有低导通电阻，内置G-S二极管。该MOSFET具有-30V漏源电压 (VDSS)、±3A连续漏极电流 (ID) 以及1.25W功耗 (PD)。RRQ030P03HZG MOSFET采用无铅电镀，符合AEC-Q101标准。ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG MOSFET采用小型TSMT6表面贴装封装，非常适合用于开关应用。
特性
- 低导通电阻
- 内置G-S二极管
- TSMT6小型表面贴装封装
- 无铅引脚电镀
- 符合RoHS指令
- 符合 AEC-Q101
规范
- 漏源电压 (VDSS)：-30V
- 最大静态漏极－源极导通电阻 (RDS (on))：75mΩ
- 连续漏极电流 (ID)：±3A
- 功率耗散 (PD)：1.25W
- 工作结温范围：-55 °C至+150 °C
内部电路图
性能图
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发布日期: 2020-11-18
| 更新日期: 2024-10-29