ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG小信号车用MOSFET
ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG小信号车用MOSFET是低导通电阻MOSFET，内置G-S保护二极管。这些MOSFET具有-30V漏源电压 (VDSS)和1W功耗 (PD)。RRR030P03HZG MOSFET提供±3A连续漏极电流 (ID)，RRR040P03HZG MOSFET提供±4A 连续漏极电流 (ID)这些MOSFET符合AEC-Q101标准，采用无铅镀层。ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG MOSFET采用TSMT3小型表面贴装封装，适用于直流/直流转换器。
特性
- 低导通电阻
- 内置G-S保护二极管
- 无铅引脚电镀
- 符合AEC-Q101标准
- 符合RoHS指令
- 小型表面贴装封装 (TSMT3)
规范
- RRR030P03HZG
- 最大静态漏源导通电阻 (RDS (on))：75mΩ
- 连续漏极电流 (ID)：±3A
- RRR040P03HZG
- 最大静态漏源导通电阻 (RDS (on))：45mΩ
- 连续漏极电流 (ID)：±4A
- 一般特性
- 漏极-源极电压 (VDSS)：-30 V
- 功率耗散 (PD)：1W
- 工作温度范围：-55 °C至+150 °C
内部电路图
性能图
相关产品
ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs
Provide automotive support, wide drive type, and support from a small signal to high power.
ROHM Semiconductor 汽车器件
随着技术的不断发展，为汽车行业提供优化的解决方案。
View Results ( 2 ) Page
| 物料编号 | 数据表 | 描述 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Qg-栅极电荷 | 上升时间 | 下降时间 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RRR030P03HZGTL |  |
MOSFET MOSFET Pch -30V -3A, DriveVoltage:-4 SOT346T | 3 A | 75 mOhms | 5.2 nC | 18 ns | 35 ns |
| RRR040P03HZGTL | |
MOSFET MOSFET Pch -30V -4A, DriveVoltage:-4 SOT346T | 4 A | 45 mOhms | 10.5 nC | 30 ns | 45 ns |
发布日期: 2020-11-18
| 更新日期: 2024-10-29