ROHM Semiconductor RSDT27NS瞬态电压抑制器
ROHM Semiconductor RSDT27NS瞬态电压抑制器是一款单向电压抑制器，可保护敏感电子设备免受低于3600W（Tp= 10/1000μs时）的浪涌。该电压抑制器具有高可靠性和高过流能力。RSDT27NS是一款功率模制型电压抑制器，具有3个端子。该电压抑制器具有5W功率耗散 (PD) 和22V最大反向关断电压 (VRWM)。ROHM Semiconductor RSDT27NS电压抑制器适合用于浪涌保护。
特性
- 单向电压抑制器
- 功率模具类型
- 可靠性高
- 配有3个端子
- 硅外延平面单结构
规范
- 免受低于3600W（TP= 10/1000μs时）的浪涌冲击
- 功率耗散 (PD)：5W
- TO-263S (D2PAK) 封装
- 反向关断电压 VRWM（最大值）：22V
- 反向电流 (IR)：10µA（VR= 22V时）
- 工作温度范围：-55 °C至+150 °C
内部电路图
性能图
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Highly reliable protection diodes in ultra-small and small mold types.
发布日期: 2020-11-18
| 更新日期: 2024-10-29