STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611栅极驱动器评估板
STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611栅极驱动器评估板采用STDRIVEG611高速半桥栅极驱动器，优化用于驱动高压增强型模式GaN HEMT。它完全支持硬开关拓扑，采用4x5mm QFN封装，具有独立的大电流灌/拉栅极驱动引脚、集成LDO、欠压、自举二极管、智能关断过流保护、过热、故障和关断引脚以及待机等特性。
EVLSTDRIVEG611板简单易用，可快速适应，用于评估STDRIVEG611的特性，驱动采用5mm x 6mm QFN封装的SGT120R65AL 75mΩ（典型值）、650V EMode GaN开关。它设有板载可编程死区时间发生器和3.3V线性稳压器，为微控制器等外部逻辑供电。还包括备用占位面积，例如单独的LIN和HIN输入信号或单个PWM信号，从而为最终应用定制电路板。
STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611是一款56mm x 70mm宽的双层、2oz、FR-4 PCB，在静止空气中实现23°C/W Rth(J‑A)（每个GaN相当于46°C/W），非常适合用于评估大功率应用。
特性
- 半桥拓扑结构采用STDRIVEG611 GaN栅极驱动器，集成了LDO、独立的灌/拉电流、过流保护、集成式自举二极管、待机
- 配备75mΩ（典型值），650V e模式HEMT GaN
- 可调谐硬导通和硬关断dV/dt，设置为10V/ns（典型值），用于电机控制应用
- VCC 电源电压：10.6V至18V（12V典型值）
- 板载可调死区时间发生器，用于在具有死区时间的独立高侧和低侧输入中转换单个PWM信号
- 可选的独立输入，具有外部死区时间
- 可编程过流保护，智能关断设置为9.5A
- 用于可选的额外高压大容量电容器和自举二极管的占位
- 板载3.3V稳压器，用于外部电路电源
- 符合RoHS标准
应用
- 电机驱动器，用于家用电器、泵和压缩机
- 工厂自动化、伺服和工业驱动器
- 电动自行车和电动工具
- D类音频放大器
- 直流/直流和谐振转换器、PFC、电池充电器和适配器
电源和信号连接
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STMicroelectronics 标准产品
各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2024-11-04
| 更新日期: 2024-11-07