STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DM演示板

STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DM演示板提供一个半桥拓扑参考设计，将STDRIVEG600栅极驱动器与MDmesh™ DM2功率MOSFET配对。STDRIVEG600是一款单芯片半桥栅极驱动器，用于GaN（氮化镓） eHEMT（增强模式高电子迁移率晶体管）或N沟道功率MOSFET。STDRIVEG600的高侧设计用于承受高达600V电压，适合用于总线电压高达500V的设计。

STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DG演示板包括预安装STDRIVEG600（采用SO-16封装）和STL33N60DM2 115mΩ 600V MDmesh DM2功率MOSFET（采用PowerFLAT™ 8x8 HV封装，带Kelvin源）。该演示板还设有板载可编程死区时间发生器和3.3V线性稳压器，可为微控制器等外部逻辑控制器供电。

该器件设有备用占位面积，可针对最终应用定制电路板，例如独立输入信号或单PWM信号、使用可选的外部自举二极管、用于VCC、PVCC或BOOT的独立电源，以及使用低侧分流电阻器实现峰值电流模式拓扑。