STMicroelectronics M95P32超低功耗32Mb SPI页面EEPROM

STMicroelectronics M95P32超低功耗32Mb SPI页面EEPROM针对移动和可穿戴设计进行了优化。M95P32 32Mb SPI页面EEPROM具有丰富的特性集、超低功耗和高内存密度。该器件将获得专利的e-STM 40nm 非易失性存储器 (NVM) 单元技术与智能页面架构相结合，将固件高内存密度的优势与字节灵活性和高耐用性相结合，简化数据记录。M95P3还具有快速读取、擦除和编程周期，通过快速上传和下载降低制造成本和应用停机时间。快速上电和四路输出读取，实现更快应用唤醒。

M95P32 EEPROM提供高达512B的字节和页面写入指令。写入指令包含自定时自动擦除和编程操作，从而实现灵活的数据字节管理。该器件还接受页面/块/扇区/芯片擦除命令，将内存设置为擦除状态。然后，存储器可以通过512字节页面快速编程，并使用“带缓冲负载的页面程序”进一步优化，以隐藏SPI通信延迟。

STMicroelectronics M95P32 32Mb SPI页面EEPROM是一款多合一内存，设计用于超低功耗、高效数据记录和快速固件上传/下载，简化了NVM集成、降低了BOM成本，并提高了功效。

特性

SPI接口
- 支持串行外设接口 (SPI) 和双路/四路输出
- 宽电压范围_VCC：1.6V至3.6V
- 温度范围
  - 工业温度范围：-40°C至+85°C
  - -40°C至+105°C（扩展）
- 快速读取
  - 50MHz读取单输出
  - 80MHz快速读取单/双/四路输出，具有一个虚拟字节
存储器
- 32Mb页面EEPROM
  - 64KB块，4KB扇区
  - 页面大小：512B
  - 两个标识页面
- 在整个温度范围内的写入耐久性为50万次
- 数据保留
  - 100年
  - 500k次后10年
超低功耗
- 深度掉电模式：6μA（典型值）
- 待机模式：16μA（典型值）
- 读取单次：800μA（典型值）（10MHz时）
- 页写入时为2mA（典型值）
- 电流峰值控制<3mA

高写入擦除性能
- 快速写入/编程/擦除时间：
  - 针对512B的字节和页面写入（包括自动擦除和编程）：2ms（典型值）
  - 页面程序：2ms（典型值）（512字节）
  - 页面擦除：9ms（典型值）
  - 扇区擦除：1ms（典型值）
  - 块擦除：7ms（典型值）
  - 芯片擦除：15ms（典型值）
- 页面程序，带缓冲负载
高级特性
- ECC，实现高内存可靠性（DEC、TED）
- 用于噪声过滤的施密特触发器输入
- 输出缓冲器可编程强度
- ISO26262工作状态标志
- 软件重置
- 按块写入保护，顶部/底部选项
- 应要求提供唯一ID
- 电子标识
- 支持串行闪存可发现参数 (SFDP) 模式
- JEDEC标准制造商标识
封装选项
- DFN8、 SO8N和WLCSP8 ECOPACK2封装
- 无卤，符合RoHS指令
ESD保护
- 200V HBM（人体模型）
- 500V CDM