STMicroelectronics SCTx0N120 碳化硅功率 MOSFET

意法半导体 SCTx0N120 碳化硅功率 MOSFET 采用先进且创新的宽带隙材料制成。这实现了无以匹敌的每单位面积导通电阻和极佳的开关性能（几乎不受温度影响）。碳化硅材料出色的热特性和专有 HiP247™封装使得设计人员能够采用行业标准的外形尺寸，而又大大改善热性能。这些特性使该器件尤其适合高效率、大功率密度的应用。