STMicroelectronics STDRIVEG600半桥栅极驱动器

STMicroelectronics STDRIVEG600半桥栅极驱动器是一款单芯片半桥栅极驱动器，用于GaN（氮化镓）eHEMT（增强模式高电子迁移率晶体管）或N沟道功率MOSFET。STDRIVEG600的高侧设计用于承受高达600V的电压，适合用于总线电压高达500V的设计。该器件具有大电流能力、短传播延迟以及低至5V的工作电源电压，因此非常适合用于驱动高速GaN和硅FET。

STDRIVEG600在上下驱动部分均具有UVLO（欠压闭锁）保护功能，防止电源开关在低效率或危险条件下运行。该器件还包括联锁功能，可消除交叉传导情况。

逻辑输入端兼容CMOS/TTL，低至3.3V，便于连接微控制器和DSP。

STMicroelectronics STDRIVEG600半桥栅极驱动器采用SO-16封装，工作结温范围为-40°C至150°C。