STMicroelectronics STEVAL-L6986IV1评估板可产生两路隔离电压(18V正向电压和4V-5V负向电压),特别适合用于为多个应用提供IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器。借助简单的旁路,可提供单个隔离电压。
特性
- 设计用于隔离降压拓扑结构
- 工作输入电压:4V至38V
- 一次侧输出电压调节/无需光耦合器
- 灌峰值一次侧电流能力:1.9A(典型值)
- 强制PWM运行峰值电流模式架构
- 消隐时间:300ns
- 8µA IQ-SHTDWN
- 可调fSW和同步
- 内置一次侧输出电压监控器
- 可调软启动时间
- 内部一次侧电流限制
- 过压保护
- RDS(on) HS = 180mΩ,RDS(on) LS = 150mΩ
- 热关断
电路原理图
发布日期: 2021-10-28
| 更新日期: 2022-03-11

