STMicroelectronics EVSTGAP2GSN演示板
STMicroelectronics EVSTGAP2GSN演示板全面评估STGAP2GSN隔离式单栅极驱动器。STGAP2GSN具有2A拉电流和3A灌电流能力以及轨对轨输出，适合用于中等和大功率逆变器应用。该器件使用专用栅极电阻器独立优化导通和关断。
STMicro EVSTGAP2GSN板能够评估驱动SGT120R65AL 75mΩ、650V e-Mode GaN晶体管的所有STGAP2GSN特性。电路板元件易于存取和修改，便于不同应用条件下的驱动器性能评估和最终元件的精细调整。
特性
- 电路板
- 半桥配置，高压轨高达650V
- SGT120R65AL具有650V、75mΩ（典型值）、15A、e-mode PowerGaN晶体管
- 负栅极驱动
- 板载隔离式直流-直流转换器，为高侧和低侧栅极驱动器供电，由VAUX = 5V馈电，最大隔离度为1.5kV
- VDD逻辑由板载3.3V或VAUX = 5V提供
- 可轻松选择跳线以驱动电压配置：+6V/0V；+6V/-3V
- 设备
- 1700V功能隔离
- 驱动器电流能力：2A/3A拉电流/灌电流（+25°C、VH = 6V）
- 独立的拉电流和灌电流，可简化栅极驱动配置
- 输入-输出传播延迟：45ns
- UVLO功能，针对GaN进行优化
- 栅极驱动电压：高达15V
- 3.3V、5V TTL/CMOS输入，带迟滞
- 温度关断保护
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发布日期: 2023-06-20
| 更新日期: 2023-06-23