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Texas Instruments DRV5012数字锁存霍尔效应传感器

Texas Instruments DRV5012超低功耗数字锁存霍尔效应传感器设有引脚可选的采样率。当南极靠近封装顶部，超出BOP阈值时，该器件驱动低电压。输出一直较低，直到应用北极且达到BRP阈值，导致输出驱动高电压。切换输出需要南北极交替，集成滞后功能将BOP和BRP分离，确保可靠开关。DRV5012器件使用内部振荡器对磁场进行采样并更新输出，采样率为20Hz或2.5kHz，具体取决于SEL引脚。该双带宽功能让系统可在功耗最低的情况下监视移动的变化。

特性

  • 行业领先的低功耗
  • 引脚可选的采样率
    • SEL=低：20Hz，消耗1.3μA电流 (1.8V)
    • SEL =高：2.5kHz，消耗142μA电流 (1.8V)
  • VCC工作电压：1.65V至5.5V
  • 高磁性灵敏度：±2mT（典型值）
  • 坚固的滞后：4mT（典型值）
  • 推挽式CMOS输出
  • 轻薄小巧的X2SON封装
  • 工作温度范围：–40°C至+85°C

应用

  • 个人电子产品
    • 电视、平板电脑、手机
    • 可穿戴设备
    • 无人机、玩具
    • 家电和厨房电器
  • 楼宇自动化
    • HVAC、烟雾探测器
    • 电池电压和电流监控
    • 温度传感
    • 电池供电、便携式仪器仪表

功能框图

框图 - Texas Instruments DRV5012数字锁存霍尔效应传感器

Additional Resources

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发布日期: 2017-10-18 | 更新日期: 2023-10-27