Texas Instruments DRV816x半桥智能栅极驱动器

Texas Instruments DRV816x半桥智能栅极驱动器是集成式100V器件，能够驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。该驱动器集成了一个双向低侧电流检测放大器，用于向控制器模数转换器（ADC）提供电流反馈。DRV816x驱动器通过集成的涓流电荷泵支持100%脉冲宽度模块（PWM）占空比。这些驱动器采用智能栅极驱动架构，支持16级栅极驱动峰值电流高达1A拉电流和2A灌电流。DRV816x驱动器还具有13级VDS过流阈值、独立关断引脚（nDRVOFF）和20ns至900ns可调PWM死区插入。该驱动器用于移动机器人、无人机、电动自行车、电动汽车和线性电机运输系统。

特性

采用半桥配置驱动两个N沟道MOSFET
- 高侧MOSFET源/漏极高达102V（绝对最大值）
- 8V（5V DRV8162L）至20V栅极驱动电源
- 集成式自举二极管
功能安全质量管理，提供协助功能安全系统设计的文档
通过集成的涓流电荷泵支持100% PWM占空比
十六级栅极驱动峰值电流
- 16mA – 1000mA拉电流
- 32mA – 2000mA灌电流
- 拉灌电流比1:1、1:2、1:3
可调PWM死区插入时间：20ns – 900ns
用于电机相位（SH）切换的稳健设计
- 转换速度：50V/ns
- 负瞬态电压：-20V
- 2A强栅极下拉

分离栅极驱动电源输入，用于冗余关断（DRV8162、DRV8162L）
低失调电流检测放大器（DRV8161），具有可调增益（5、10、20、40V/V）
灵活的PWM控制接口；2引脚PWM、1引脚PWM和独立的PWM模式
十三级VDS过流阈值
独立关断引脚（nDRVOFF）
栅极驱动器软关断序列
集成保护功能
- GVDD欠压（GVDDUV）
- 自举欠压（BST_UV）
- MOSFET过流保护 (VDS)
- 击穿保护
- 热关断（OTSD）
- 故障状态指示器 (nFAULT)
支持3.3 V和5 V逻辑输入