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Texas Instruments JFE150音频N沟道JFET

Texas Instruments JFE150音频N沟道JFET是一款Burr-Brown™分立式JFET，采用Texas Instruments的现代高性能模拟双极工艺制造而成。JFE150具有先前旧分立式JFET技术没有的性能。JFE150具有最大的噪声-功率效率和灵活性，用户可在其中设置静态电流，在50µA至20mA电流范围内具有出色的噪声性能。该器件在5mA时偏置时产生0.8nV/√Hz输入参考噪声，具有超低噪声性能和极高输入阻抗 (>1TΩ)。JFE150还设有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高漏电、非线性外部二极管即可提供保护。

Texas Instruments JFE150可承受40V高漏极-源极电压，以及低至-40V栅极-源极和栅极-漏极电压。额定温度范围为-40°C至+125°C。该器件目前采用5引脚SOT-23封装。

特性

  • 超低噪声
    • 电压噪声
      • 0.8nV/√Hz（1kHz、ID=5mA）
      • 0.9nV/√Hz（1kHz、ID=2mA时）
    • 电流噪声
      • 1.8fA/√Hz（1kHz时）
  • 低栅极电流：10pA（最大值）
  • 低输入电容（VDS=5V时为24pF）
  • 高栅极至漏极和栅极至源极击穿电压：–40V
  • 高跨导：68mS
  • 小型SC70封装

应用

  • 麦克风输入
  • 检漏器和海洋设备
  • DJ控制器、混频器和其他DJ设备
  • 专业音频混频器或控制表面
  • 吉他放大器和其他乐器放大器
  • 状态监测传感器

功能框图

框图 - Texas Instruments JFE150音频N沟道JFET
发布日期: 2021-08-13 | 更新日期: 2022-03-11