Texas Instruments LM74722-Q1理想二极管控制器

Texas Instruments LM74722-Q1理想二极管控制器可驱动和控制外部背靠背N沟道MOSFET，以模拟具有电源路径开和关控制以及过压保护功能的理想二极管整流器。3V至65V宽输入电源支持保护和控制12V和24V汽车电池供电ECU。该器件可以保护负载并承受低至 –65V的负电源电压。集成式理想二极管控制器 (GATE) 驱动第一个MOSFET以取代肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持。强大的升压稳压器具有快速开启和关闭比较器，可在汽车测试期间确保稳健高效的MOSFET开关性能，例如ISO16750或LV124，其中ECU会遭受输入短暂中断和频率高达200kHz的AC叠加输入信号的影响。运行中的Texas Instruments LM74722-Q1具有35µA（最大值）低静态电流，可实现常开系统设计。通过电源路径中的第二个MOSFET，该器件允许使用EN引脚进行负载断开控制。当EN为低电平时，静态电流降至3.3µA（最大值）。该器件使用OV引脚，具有可调节的过压截止或过压钳位保护功能。