TI LM74930Q1EVM显示LM74930-Q1如何控制两个背靠背N沟道功率MOSFET,以模拟具有浪涌抑制器、断路器和过压保护功能的理想二极管整流器。
特性
- ORing应用所需的反向电流阻断功能
- 电池输入反接保护
- 在共源配置中驱动外部背靠背N沟道MOSFET
- 针对如200V未抑制负载突降等瞬变的浪涌保护
- 可调节的过流和短路保护
- 具有10%精度的模拟电流监视器输出 (IMON)
- 过压、欠压可调
- MODE引脚允许双向电流流动(MODE = 低)
应用
- 12V/24V汽车电池反接保护
- 工业运输
- 冗余电源ORing
规范
- 4 V 到 65 V 的输入范围
- 4A和6A使用板载跳线可调节过流保护
- 可编程断路器定时器
- 负载电流监控输出
- 可编程自动重试和锁存选项
- LED故障指示
- 用于输出ON/OFF检测的LED指示
布局
测试设备设置
发布日期: 2024-01-30
| 更新日期: 2024-02-08

