Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级，集成了栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。LMG2100R044在半桥配置中集成了两个100V GaN FET，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET为功率转换提供了显著优势，例如零反向恢复和最小输入电容CISS和输出电容COSS。
TI LMG2100R044功率级安装在完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R044采用5.5mm x 4.5mm x 0.89mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。
特性
- 集成4.4mΩ半桥GaN FET和驱动器
- 90V连续、100V脉冲额定电压
- 封装经过优化，便于PCB布局
- 高压摆率开关，低振铃
- 5V外部偏置电源
- 支持3.3V和5V输入逻辑电平
- 栅极驱动器支持高达10MHz开关
- 低功耗
- 出色的传播延迟（33ns典型值）和匹配（2ns典型值）
- 内部自举电源电压钳位可防止GaN FET过驱动
- 电源轨欠压，用于闭锁保护
- 裸露顶部QFN封装，用于顶部冷却
- 较大的GND焊盘，用于底部冷却
应用
- 降压、升压、降压-升压转换器
- LLC转换器
- 太阳能逆变器
- 电信和服务器电源
- 电机驱动器
- 电动工具
- D类音频放大器
简化框图
传播延迟与传播不匹配测量
开发工具
Texas Instruments BOOSTXL-LMG2100-MD功率级评估模块
该模块采用GaN逆变器来精确控制伺服驱动器等精密驱动器。
发布日期: 2024-05-13
| 更新日期: 2025-04-16