Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET
Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET设计用于开关模式电源应用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封装中集成了GaN FET和栅极驱动器，从而减少了元器件数量并简化了设计。可编程的导通转换率提供EMI和振铃控制。
Texas Instruments LMG3614支持突发模式运行和转换器轻负载效率要求，具有快速启动时间和低静态电流。保护特性包括过热保护和欠压闭锁 (UVLO)，通过开漏FLT引脚进行报告。
特性
- 650V 170mΩ GaN功率FET
- 集成栅极驱动器，具有低传播延迟和可调节的导通转换率控制
- 通过FLT引脚报告实现过热保护
- 辅助静态电流：55µA
- 最大电源和输入逻辑引脚电压：26V
- 8mm × 5.3mm QFN封装，带导热片
应用
- 交流/直流适配器和充电器
- 交流/直流USB壁式电源
- 交流/直流辅助电源
- 电视电源
- 移动壁式充电器设计
- USB壁式电源插座
- 辅助电源
- SMPS电视电源
- LED电源
简化框图
开发工具
Texas Instruments LMG3624EVM-081转换器评估模块
用于演示USB Type-C ® PD离线适配器中650V 120mΩGaN FET LMG3624的功能。
发布日期: 2025-04-08
| 更新日期: 2025-07-07