Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩,采用SON 5mm x 6mm塑料封装。

特性

  • 超低Qg和Qgd
  • 低热阻
  • 额定雪崩
  • 无铅端子电镀
  • 符合RoHS指令
  • 无卤
  • SON 5mm × 6mm塑料封装

功能图

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET
发布日期: 2019-04-18 | 更新日期: 2023-08-21