Texas Instruments NexFET P通道功率MOSFET

Texas Instruments NexFET P通道功率MOSFET外形极为纤薄,采用超小外形尺寸封装,设计用于实现尽可能低的导通电阻和栅极电荷,具有出色的散热特性。这些NexFET MOSFET具有超低导通电阻以及超低Qg和Qgd,外形尺寸仅为1.0mm x 1.5mm。

特性

  • 超低导通电阻
  • 超低Qg和Qgd
  • 1.0mm×1.5mm的小尺寸封装
  • 薄型(高0.62mm)
  • 无铅
  • 栅极-源极电压钳位
  • 栅极ESD保护 - 3KV
  • 符合RoHS指令
  • 无卤素

应用

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

功能图

Texas Instruments NexFET P通道功率MOSFET
发布日期: 2019-04-18 | 更新日期: 2023-08-21